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氮化镓(GaN)MOCVD系统
氮化镓(GaN)MOCVD系统的图片
参考报价:
面议
品牌:
上海翱晶
关注度:
81
样本:
暂无
型号:
氮化镓(GaN)MOCVD系统
产地:
上海
信息完整度:
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暂无
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高级会员 第 1
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GaN 6寸/8寸外延炉


EPIREVO G8是日本株式会社东芝的子公司纽富莱(NuFlare)的主要产品之一。

EPIREVO G8通过在在200㎜Si衬底上高质量的高速成膜,

从而降低功率器件和RF器件成本的MOCVD装置,为实现低碳社会做出贡献。

高生产性

GaN膜能够达到9µm/hour以上的高速生长

能够达到200℃/minute以上的高速升温


高品质

200mm晶片面内2度以内的**温度分布


低成本

TMG可以达到20%以上的高利用率

In-Situ清洁功能带来的高生产效率


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